Lapisan GaInAsSbP dapat ditumbuhkan dengan heteroepitaksi pada indium arsenida, galium antimonida, dan bahan lainnya. Komposisi yang tepat dapat disetel agar kisi-kisinya serasi. Kehadiran lima unsur dalam paduan ini memungkinkan derajat kebebasan ekstra, sehingga memungkinkan untuk memperbaiki konstanta kisinya sambil memvariasikan celah pitanya. Misalnya, Ga0,92In0,08P0,05As0,08Sb0,87 adalah kisi yang cocok dengan InAs.[2]
^Room temperature midinfrared electroluminescence from GaInAsSbP light emitting diodes, A. Krier, V. M. Smirnov, P. J. Batty, V. I. Vasil’ev, G. S. Gagis, and V. I. Kuchinskii, Appl. Phys. Lett. vol. 90 pp. 211115 (2007) DOI:10.1063/1.2741147
^ abLattice-matched GaInPAsSb/InAs structures for devices of infrared optoelectronics, M. Aidaraliev, N. V. Zotova, S. A. Karandashev, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’, G. N. Talalakin, V. V. Shustov, V. V. Kuznetsov and E. A. Kognovitskaya, Semiconductors vol. 36 num. 8 pp. 944-949 (2002) DOI:10.1134/1.1500478
^Low Bandgap GaInAsSbP Pentanary Thermophotovoltaic Diodes, K. J. Cheetham, P. J. Carrington, N. B. Cook and A. Krier, Solar Energy Materials and Solar Cells, vol. 95 pp. 534-537 (2011) DOI:10.1016/j.solmat.2010.08.036
