Struktur umum LOCOS: 1) Silikon (Si), 2) Silikon dioksida (SiO2).
Oksidasi lokal silikon, dalam bahasa Inggris disebut Local Oxidation of Silicon atau disingkat LOCOS, merupakan suatu proses fabrikasi mikro di mana silikon dioksida dibentuk dalam area terpilih pada wafer silikon yang memiliki antarmuka Si-SiO2 pada titik yang lebih rendah daripada permukaan silikon secara keseluruhan. Pada 2008, proses ini digantikan dengan shallow trench isolation.
.svg)
