За тези и други постижения на Исаму Акасаки е удостоен и с наградата Киото за напреднали технологии през 2009 г.[6] и с IEEE Едисоновия медал през 2011 година[7], а Нобеловата награда получава заедно с Хироши Амано и Шуджи Накамура,
„
за изобретяването на ефективни сини светодиоди, както и на ярки и енергоспестяващи бели източници на светлина.
“
Кариера
Исаму Акасаки
Роден в Кагошима, Акасаки завършва университета в Киото през 1952 и получава научна степен доктор на инженерните науки в областта на електрониката от Нагойския университет през 1964 година. Той започва да работи с GaN-базирани сини светодиоди в края на 1960-те години и стъпка по стъпка подобрява качеството и приложението на кристала галиев нитрит[8] в научноизследователски институт Мацушита в Токио. Там прави първото си нововъведение, използвайки металоорганична парнофазова епитаксия (MOVPE).
През 1981 Акасаки въвежда методите си в Нагойския университет, а през 1985 година, заедно с научноизследователската си група, постига успех в създаването на висококачествени GaN кристали на сапфирова основа с пионерската буферна технология с ниски температури.[9][10]
Този висококачествен GaN кристал им позволява да открият неговия p-тип след усилване с магнезий и последващо активиране с помощта на електронно облъчване (1989). Така е създаден първият GaN p-n преходен син/UV светодиод (1989), а освен това са постигнати контролируема проводимост на n-типа GaN (1990)[11] и подобните сплави (1991)[12] чрез усилване със силиций (Si). Това позволява използването хетероструктури и мулти-квантови ями в проектирането и конструирането на по-ефективни р-N преходни светодиоди.
Акасаки и сътрудниците му получават стимулирано излъчване при стайна температура през 1990 г.,[13] и разработват през 1995 г. стимулирано излъчване при 388 nm с импулс от висококачествени транзисторни устройства.[14] Те проверяват квантовия ефект (1991)[15] и Stark-ефекта (1997)[16] в нитритна среда и през 2000 г. показват теоретично ориентационната зависимост между пиезоелектричното поле и съществуването на неполярни или полуполярни кристали галиев нитрит[17]. Тези постижения лежат в основата на създаването на по-ефективни източници на светлина.
Институт Акасаки в Нагойския университет
Сградата на института
Патентите на професор Акасаки са произведени от тези изобретения и бързо намират широко пазарно приложение. Нагойският Университет основава Институт за Акасаки[18] на 20 октомври 2006. Стойността на строителството на шестетажния институт е покрита с патентни права. Освен като научен сектор, институтът разполага с галерия на LED светлината, показваща историята на изследванията, разработките и приложенията ѝ, а също така съдържа офис за междуинститутско сътрудничество в областта на научните изследвания.
1959 – 1964 научен сътрудник, асистент и доцент по електроника в университета в Нагоя.
1964 – 1974 Ръководител на фундаменталните изследвания на лаборатория 4 на научноизследователски институт Мацмацушита в Токио.
1974 – 1981 главен изпълнителен директор на отдела за полупроводници (в същия институт)
1981 – 1992 професор по електроника в университета в Нагоя.
1987 – 1990 Ръководител на проект „Изследване и разработване на GaN-сини светодиоди“, спонсориран от Японската агенция за наука и технологии.
1992 – Почетен професор на Нагойския университет, професор в университета Мейджо.
1993 – 1999 Ръководител на проект „Изследване и разработване на GaN-базирани полупроводникови лазерни диоди с ниска дължина на вълната“.
1995 – 1996 Гост-професор в изследователски център за квантовата електроника в университета в Хокайдо.
1996 – 2001 Ръководител на проекта за насърчаване на науката в японското общество
1996 – 2004 Ръководител на проекта „Високотехнологичен научноизследователски център за нитритни полупроводници“ в университета Мейджо.
2001 – научен сътрудник в научноизследователския център Акасаки към Нагойския университет.
Периода 2003 – 2006 г., председател на научноизследователска и развойна дейност в стратегическия комитет за безжични устройства, базирани на нитридни полупроводници.
2004 – директор на Център за изследвания нитритни полупроводници в университета Мейджо.
↑Hiroshi Amano, Masahiro Kito, Kazumasa Hiramatsu and Isamu Akasaki: P-Type Conduction in Mg-doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI), Jpn.
↑I. Akasaki, H. Amano, M. Kito and K. Hiramatsu: Photoluminescence of Mg doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED. J. Cryst.
↑Y. Ohki, Y. Toyoda, H. Kobayasi and I. Akasaki: Fabrication and properties of a practical blue-emitting GaN m-i-s diode.
↑H. Amano, N. Sawaki I. Akasaki and Y. Toyoda: Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer
↑Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Yasuo Koide, Kazumasa Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki: Effects of AlN buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1-xAl xN (0<x < = 0,4) films grown on sapphire substrate by MOVPE, J. Crystal Growth, Vol.98 (1989), pp.209-219
↑H. Amano and I. Akasaki: „Fabrication and Properties of GaN p-n Junction LED“, Mater.
↑Hiroshi Murakami, Tsunemori Asahi, Hiroshi Amano, Kazumasa Hiramatsu, Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki: „Growth of Si-doped AlxGa 1-xN on (0001) sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy“, J. Crystal Growth, Vol.115 (1991), pp. 648 – 651.
↑H. Amano, T. Asahi and I. Akasaki: „Stimulated Emission Near Ultraviolet at Room Temperature from a GaN Film Grown on Sapphire by MOVPE Using an AlN Buffer Layer“ Jpn.
↑Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Shigetoshi Sota, Hiromitsu Sakai, Toshiyuki Tanaka and Masayoshi Koike: „Stimulated Emission by Current Injection from an AlGaN/GaN/GaInN Quantum Well Device“ Jpn.
↑K. Itoh, T. Kawamoto, H. Amano, K. Hiramatsu and I. Akasaki: „Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth and Properties of GaN/Al0.1Ga0.9N Layered Structures“ Jpn.
↑T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki: „Quantum-Confined Stark Effect due to Piezoelectric Fields in GaInN Strained Quantum Wells“ Jpn.
↑Tetsuya Takeuchi, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki: „Theoretical Study of Orientation Dependence of Piezoelectric Effects in Wurtzite Strained GaInN/GaN Heterostructures and Quantum Wells“, Jpn.
