LDMOS
En LDMOS-transistor (akronym for laterally diffused metal oxide semiconductor[1]) er en effekt-MOSFET-transistor variant, der anvendes i mikrobølge/RF-effektforstærkere. LDMOS-transistorer bliver ofte fabrikeret på p/p+ silicium epitaxial lag. Fabrikationen af LDMOS enheder omfatter mest forskellige ion-implantationer og efterfølgende mekanisk spændingsudligningscykler.[1]
Silicium-baserede LDMOS FETs er bredt anvendt i RF-effektforstærkere for basisstationer grundet kravet om høj udgangseffekt med en korresponderende drain-til-source breakdown-spænding der sædvanligvis er højere end 60 volt.[2] Sammenlignet med andre enheder såsom GaAs FETs, har LDMOS lavere Ft.
Producenter af LDMOS-enheder og LDMOS teknologier omfatter TSMC, LFoundry, Tower Semiconductor, GlobalFoundries, Vanguard International Semiconductor Corporation, STMicroelectronics, Infineon Technologies, RFMD, Freescale Semiconductor, NXP Semiconductors, SMIC, MK Semiconductors, Polyfet og Ampleon.
RF-effektforstærkere baseret på en enkelt LDMOS-enhed lider af relativ lav effektivitet når anvendt i 3G og 4G (LTE) netværk, grundet til den høje spids-til-middel-effekt af modulationstyperne; CDMA og OFDMA access teknikker, anvendt i disse kommunikationssystemer. Effektiviteten af LDMOS effektforstærkere kan øges ved at anvende typiske effektivitetsforbedrende teknikker, fx Doherty topologier eller envelope-tracking.[3]
Kilder/referencer
- ^ a b A. Elhami Khorasani, IEEE Electron Dev. Lett., vol. 35, pp. 1079-1081, 2014
- ^ van Rijs, F. (2008). "Status and trends of silicon LDMOS base station PA technologies to go beyond 2.5 GHz applications". Radio and Wireless Symposium, 2008 IEEE. Orlando, FL. s. 69-72. doi:10.1109/RWS.2008.4463430.
{{cite conference}}: Ukendt parameter|booktitle=ignoreret (|book-title=foreslået) (hjælp) - ^ Draxler, P.; Lanfranco, S.; Kimball, D.; Hsia, C.; Jeong, J.; De Sluis, J.; Asbeck, P. (2006). "High Efficiency Envelope Tracking LDMOS Power Amplifier for W-CDMA". 2006 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest. s. 1534-1537. doi:10.1109/MWSYM.2006.249605. ISBN 978-0-7803-9541-1.
Eksterne henvisninger
Content Disclaimer
Informasi ini disarikan dari Wikipedia dan disajikan kembali untuk tujuan edukasi. Konten tersedia di bawah lisensi CC BY-SA 3.0. Kami tidak bertanggung jawab atas ketidakakuratan data yang bersumber dari kontribusi publik tersebut.
- The information displayed on this website is sourced in part or in whole from Wikipedia and has been adapted for the purpose of restating it. We strive to provide accurate and relevant information, however:
- There is no guarantee of absolute accuracy. Wikipedia is an open, collaborative project that can be edited by anyone, so information is subject to change.
- It is not intended to constitute professional advice. The content displayed is for informational and educational purposes only. For important decisions (e.g., medical, legal, or financial), please consult a professional.
- Content copyright. Wikipedia is licensed under the Creative Commons Attribution-ShareAlike License (CC BY-SA). This means that content may be reused with appropriate attribution and shared under a similar license.
- Responsible use. Any risk arising from the use of information from this website is entirely the responsibility of the user.
