IGBT

Eristyshilainen bipolaaritransistori eli IGBT (engl. insulated-gate bipolar transistor) on suurtehosovelluksiin kehitetty bipolaaritransistori, jonka hila on MOSFETin tavoin eristetty kanavasta. Tämä tarkoittaa käytännössä sitä että IGBT:ssä on sekä bipolaaritransistori että MOSFET yhdessä. IGBT muistuttaakin kollektorilta päin katsottuna bipolaaritransistoria, mutta sen ohjaus toteutuu MOSFETilla.^[1]

IGBT kestää suuren virran kiinni-tilassa, ja suuren jännitteen auki-tilassa, ja se on tarkoitettu tehoelektroniikan kytkinkäyttöön, yhtenä yleisenä käyttökohteena taajuusmuuttajat. IGBT:n jäähdytyselementin ei tarvitse olla suuri, koska sillä on pienet jännite- ja tehohäviöt, jolloin se ei tuota toimiessaan kovin voimakkaasti lämpöä, toisin kuin MOSFET tai bipolaaritransistori.^[1]

IGBT:n ohjaus ei vaadi monimutkaisia kytkentöjä, sen ohjaus onnistuu samalla tavoin kuin MOSFETilla. IGBT on hidas kyllästystilasta (auki-tila) sulkutilaan, koska hilan varauksenkuljettajat voivat poistua vain rekombinaatiolla. Ne on siis purettava transistoria suljettaessa esimerkiksi vastuksen kautta takaisin kollektorille.^[1] Ohjaus onnistuu myös ilman purkuvastusta esimerkiksi hilamuuntajaa käyttäen, jolloin on käytettävä hilavastusta ja tarvittaessa myös nopeaa purkudiodia.

• Salste, Mikko; Porra, Veikko: Elektroniikka: sovelletun elektroniikan ja digitaalitekniikan perusteet. Otaniemi: Otakustantamo, 1973. ISBN 951-671-053-0
• Silvonen, Kimmo: Sähkötekniikka ja elektroniikka. Helsinki: Otatieto, 2003. ISBN 951-672-335-7
• Silvonen, Kimmo; Tiilikainen, Matti; Helenius Kari: Analogiaelektroniikka. Helsinki: Edita, 2004 (2002). ISBN 951-37-3839-6