FinFET

FinFET (acrònim de fin field-effect transistor) és un tipus de transistor d'efecte camp de tecnologia 3D (procés no planar) i substracte silici sobre aïllant (SOI), emprat en la fabricació dels actuals microprocessadors. Els transistors FinFET aconsegueixen menor superfície en el dau de silici, a més a més de major velocitat de commutació i menor consum de potència. El FinFET va ser concebut el 2001 a la universitat de Califòrnia, Berkeley, pels investigadors Chenming Hu, Tsu-Jae King-Liu i Jeffrey Bokor.^[1]^[2]^[3]^[4]

Paràmetres

Avantatge dels transistors FinFET : ^[5]

Paràmetre	Detall
Superfície en SI	Permet implementar transistors per sota dels 22 nm (actualment estan a 5 nm)
Consum de potència	Reducció significativa del consum elèctric.
Tensió d'operació	Permet treballar per sota 1V.
Corrent de pèrdues	Reducció típica del 90%.
Velocitat d'operació	Millora típica del 30%.

GAAFET

GAAFET (gate-all-around FET) o transistor FET de porta envoltada és similar al concepte de FinFET amb la diferència que el material qui forma la porta envolta la regió del canal.^[6] GAAFET són els successors dels FinFET per a implementar les tecnologies per sota de 7nm.^[7]

Implementacions

Empresa	Data	Tecnologia FinFET
GlobalFoundries	2012	14 nm
TSMC	2014	16 nm
AMD	Abril 2017	14 nm
Samsung	Març 2017	14 nm
TSMC	setembre 2017	10 nm

Referències

↑ «What is Finfet?» (en anglès). https://www.computerhope.com.
↑ «FinFET Technology | FinFET Basics | Radio-Electronics.Com» (en anglès). http://www.radio-electronics.com.+[Consulta: 15 novembre 2017].
↑ «FinFET Guide - TechDesignForum» (en anglès). http://www.techdesignforums.com.+[Consulta: 15 novembre 2017].
↑ «FinFET Design, Manufacturability, and Reliability» (en anglès). https://www.synopsys.com.+[Consulta: 15 novembre 2017].
↑ «[https://microlab.berkeley.edu/text/seminars/slides/2011-8_FinFET_and_the_Concept_Behind_It.pdf FinFET 3D Transistor & the Concept Behind It]» (en anglès). https://microlab.berkeley.ed.+[Consulta: 14 novembre 2017].
↑ «Gate-All-Around FET (GAA FET)» (en anglès). semiengineering.com, 13-12-2020. [Consulta: 13 desembre 2020].
↑ Solca, Bogdan. «TSMC to implement gate-all-around (GAAFET) transistors on the 2 nm nodes by 2023» (en anglès). https://www.notebookcheck.net,+13-12-2020.+[Consulta: 13 desembre 2020].

[1] «What is Finfet?» (en anglès). https://www.computerhope.com.

[2] «FinFET Technology | FinFET Basics | Radio-Electronics.Com» (en anglès). http://www.radio-electronics.com.+[Consulta: 15 novembre 2017].

[3] «FinFET Guide - TechDesignForum» (en anglès). http://www.techdesignforums.com.+[Consulta: 15 novembre 2017].

[4] «FinFET Design, Manufacturability, and Reliability» (en anglès). https://www.synopsys.com.+[Consulta: 15 novembre 2017].

[5] «[https://microlab.berkeley.edu/text/seminars/slides/2011-8_FinFET_and_the_Concept_Behind_It.pdf FinFET 3D Transistor & the Concept Behind It]» (en anglès). https://microlab.berkeley.ed.+[Consulta: 14 novembre 2017].

[6] «Gate-All-Around FET (GAA FET)» (en anglès). semiengineering.com, 13-12-2020. [Consulta: 13 desembre 2020].

[7] Solca, Bogdan. «TSMC to implement gate-all-around (GAAFET) transistors on the 2 nm nodes by 2023» (en anglès). https://www.notebookcheck.net,+13-12-2020.+[Consulta: 13 desembre 2020].

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]

FinFET

Paràmetres

GAAFET

Implementacions

Referències

Information related to FinFET

Portal di Ensiklopedia Dunia