阴极射线发光系统的示意图:电子束穿过抛物面镜(parabolic mirror)上的一个小孔后入射样品;从样品出射的光经过反射进入光谱仪 后,可以使用感光耦合元件 (CCD)或光电倍增管 (PMT)进行探测,同时还可以对电子束感应电流 (EBIC)进行测量。
阴极射线发光 (Cathodoluminescence,CL)或阴极发光 、阴极射线致发光 ,是一种冷发光 现象,指的是磷光体 之类的材料受电子照射时发射出可见光 的现象。阴极射线发光常见于老式电视 的显像管 ;其利用电子束在电视屏幕内侧的磷光体上来回扫描,通过控制屏幕上不同区域的发光强度生成图像。
来源
半导体中的冷发光 来源于导带 中的电子 和价带 中的空穴 的重新结合时以光子 形式发射出的能量。这些光子的能量(或颜色)取决于材料的性质、纯度以及其中的杂质。但在此之前,价带中的电子需要先受激进入导带。在阴极射线发光中,价带电子被高能电子束所激发。高能电子射入材料后还会造成材料中二次電子 、俄歇电子 和X射线 的发射;这些电子会再次在材料内部发生散射,产生更多的电子。最终,每一个入射的电子会导致多达103 的二次电子的发射[ 1] 。当这些二次电子的动能达到能隙 的三倍时(
E
k
i
n
≈
3
E
g
{\displaystyle E_{kin}\approx 3E_{g}}
),就会激发价带电子进入导带[ 2] 。用电子束激发材料发光和光致发光 相比的优势在于,后者对材料能隙的观测受限于入射光的能量。因此,几乎所有的非金属材料都可以运用阴极射线发光手段进行表征。
在显微技术中的应用
在地质学 、矿物学 、材料科学 和半导体工程学中,结合了阴极射线发光探测器的扫描电子显微镜 或光学显微镜 被用于探测半导体、岩石、陶瓷器 和玻璃 等材料内部的结构,以获取这些材料的组成成分、生长情况和品质。
在扫描电镜中的应用
图为InGaN多晶,采用扫描电子显微镜 照片和彩色阴极射线发光相互复叠制作而成。图像的蓝色和绿色通道 表现的是真实颜色,红色通道关联于紫外发射。
电子显微镜使用聚焦后的电子束照射于样品上;从样品中激发出的光通过某些光学系统(例如椭面镜)进行收集。光導纖維 将这些光从显微镜内部传导出来后,单色器 可以分离这些光所包含的不同波长成分,然后使用光电倍增管 进行测量。若对显微镜视野内的区域进行扫描,并在电子束扫描到每一点时测量样品所发出的光;将这些测量结果汇集起来即可绘制出阴极射线发光的“分布图”,表现的是显微镜视野区域内光学活动的分布。另一种实验手段是仅让电子束照射样品上的某一固定点或固定区域,然后获取这一区域的光谱。如果用感光耦合元件 代替光电倍增管,则可以测量全光學頻譜 (高光譜影像 )。
基于电子显微镜的阴极射线发光实验手段的主要优势是其空间分辨率。扫描电镜的分辨率一般在几十纳米左右[ 3] ;(扫描)透射电子显微镜 的分辨率甚至能达到几个纳米[ 4] 。另外,如果使用脉冲式的电子源甚至可以实现时间分辨率达到纳秒 到皮秒 级别的测量,可被应用于低维度半导体结构(例如量子阱 和量子点 )的研究。
虽然基于电子显微镜的阴极射线发光探测仪提供了较高的放大倍数,但基于光学显微镜的阴极射线发光探测仪的优势在于可以看到样品原本的颜色。最新开发的系统结合了两者的优势[ 5]
。
其他应用
虽然直接带隙半导体 (例如砷化鎵 或氮化鎵 )的阴极射线发光现象最明显(最适合用上述实验手段对其进行测量),但是间接带隙半导体(例如硅 )中也有微弱的阴极射线发光现象。利用位错 硅的发光和本征硅相异的特征,可以检测出集成电路 中的缺陷。
最近,基于电子显微镜的阴极射线发光测量也被用于研究金属纳米颗粒 的表面等离子共振 [ 6] 。金属纳米颗粒的表面電漿子 也能吸收光和发光,但这一过程和半导体中的发光是不同的。同样,阴极射线发光也被用作探针,对平面介电光子晶体 和纳米结构光子材料的局部态密度 进行测量[ 7] 。
另见
参考资料
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延伸阅读
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外部链接