Хіросі Амана

Хіросі Амана
яп.: 天野浩
Дата нараджэння	11 верасня 1960(1960-09-11)[1][2][…] (64 гады)
Месца нараджэння	Хамамацу, прэфектура Сідзуока, Японія
Грамадзянства	Японія
Род дзейнасці	фізік, выкладчык універсітэта, інжынер
Навуковая сфера	фізік
Месца працы	Нагойскі ўніверсітэт[3] Універсітэт Мейдзё[d][3] Нагойскі ўніверсітэт[3] Універсітэт Мейдзё[d][3]
Навуковая ступень	доктар тэхнічных навук
Альма-матар	Нагойскі ўніверсітэт (1988)[3] Вышэйшая школа Хамамацу Нісі[d] Юніёрская вышэйшая школа Сідзімідзука[d]
Навуковы кіраўнік	Ісаму Акасакі[4]
Узнагароды	заслужаны дзеяч культуры[d] (2014) ганаровы доктар Падуанскага ўніверсітэта[d]
Медыяфайлы на Вікісховішчы

Хіросі Амана (яп.: 天野 浩; нар. 11 верасня 1960, Хамамацу, Японія) — японскі вучоны, інжынер-электронік, фізік. Лаўрэат Нобелеўскай прэміі па фізіцы 2014 года разам з Ісаму Акасакі і Сюдзі Накамура за «вынаходніцтва эфектыўных сініх святлодыёдаў, што прывяло да з’яўлення яркіх і энергазберагальных белых крыніц святла».^[5]

Амана быў абраны членам Нацыянальнай інжынернай акадэміі ў 2016 годзе за распрацоўку легіравання нітрыду галію р-тыпу (GaN), якое дазваляе выкарыстоўваць сінія паўправадніковыя святлодыёды.

Амана нарадзіўся ў Хамамацу, Японія 11 верасня 1960 года. Атрымаў ступень бакалаўра, магістра і доктара інжынерыі ў 1983, 1985 і 1989 гадах адпаведна ва Універсітэце Нагоі.

У пачатковай школе ён гуляў у футбол у якасці брамніка і ў софтбол у якасці лаўца. Ён таксама быў радыёаматарам, і, нягледзячы на нянавісць да вучобы, добра валодаў матэматыкай. Паступіўшы ў сярэднюю школу, пачаў сур’ёзна ставіцца да вучобы і стаў найлепшым вучнем, навучаючыся кожны дзень да позняй ночы.

З 1988 па 1992 гады быў навуковым супрацоўнікам Універсітэта Нагоі. У 1992 годзе перайшоў ва ўніверсітэт Мэйдзё, дзе быў дацэнтам. З 1998 па 2002 гады працаваў дацэнтам. У 2002 годзе стаў прафесарам. У 2010 годзе перайшоў у Вышэйшую інжынерную школу Універсітэта Нагоі, дзе і ў цяперашні час з’яўляецца прафесарам.

Далучыўся да групы прафесара Ісаму Акасакі ў 1982 годзе як студэнт. З тых часоў ён праводзіў даследаванні па пытаннях росту, характарыстыкі і прымянення паўправаднікоў з нітрыду групы III, якія добра вядомыя як матэрыялы, якія выкарыстоўваюцца сёння ў сініх святлодыёдах. У 1985 годзе распрацаваў буферныя пласты з нізкатэмпературным напыленнем для росту паўправадніковых плёнак нітрыднай групы III на сапфіравай падкладцы, што прывяло да рэалізацыі святлодыёдаў і лазерных дыёдаў на аснове паўправаднікоў групы III-нітрыду. У 1989 годзе яму ўдалося вырасціць GaN p-тыпу і ўпершыню ў свеце вырабіць ультрафіялетавы святлодыёд на аснове pN-пераходу GaN.

Вядомы тым, што імкнецца да даследаванняў, лабараторыя Амана заўсёды асвятлялася позна ўначы, напрыклад, у будні, святы, Новы год і называлася «без начнога замка».^[6] Па словах яго студэнтаў у лабараторыі, Амана аптымістычная і ўмераная асоба і ніколі не злуецца.^[7][8]

• 1998 — Прэмія Ранка
• 2002 — Takeda Award^[en]
• 2014 — Заслужаны дзеяч культуры
• 2014 — Ордэн Культуры
• 2014 — Нобелеўская прэмія па фізіцы
• 2015 — Прэмія газеты «Цюніці»

• Amano, H.; Sawaki, N.; Akasaki, I.; Toyoda, Y. (1986-02-03). "Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer". Applied Physics Letters. 48 (5). AIP Publishing: 353–355. Bibcode:1986ApPhL..48..353A. doi:10.1063/1.96549. ISSN 0003-6951.
• Amano, Hiroshi; Akasaki, Isamu; Kozawa, Takahiro; Hiramatsu, Kazumasa. "Electron beam effects on blue luminescence of zinc-doped GaN". Journal of Luminescence. 40–41. Elsevier BV: 121–122. Bibcode:1988JLum...40..121A. doi:10.1016/0022-2313(88)90117-2. ISSN 0022-2313.
• Amano, Hiroshi; Kito, Masahiro; Hiramatsu, Kazumasa; Akasaki, Isamu (1989-12-20). "P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)". Japanese Journal of Applied Physics. 28 (Part 2, No. 12). Japan Society of Applied Physics: L2112–L2114. Bibcode:1989JaJAP..28L2112A. doi:10.1143/jjap.28.l2112. ISSN 0021-4922.
• Murakami, Hiroshi; Asahi, Tsunemori; Amano, Hiroshi; Hiramatsu, Kazumasa. "Growth of Si-doped Al_xGa_1–xN on (0001) sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy". Journal of Crystal Growth. 115 (1–4). Elsevier BV: 648–651. Bibcode:1991JCrGr.115..648M. doi:10.1016/0022-0248(91)90820-u. ISSN 0022-0248.
• Itoh, Kenji; Kawamoto, Takeshi; Amano, Hiroshi; Hiramatsu, Kazumasa (1991-09-15). "Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth and Properties of GaN/Al0.1Ga0.9N Layered Structures". Japanese Journal of Applied Physics. 30 (Part 1, No. 9A). Japan Society of Applied Physics: 1924–1927. Bibcode:1991JaJAP..30.1924I. doi:10.1143/jjap.30.1924. ISSN 0021-4922.
• I. Akasaki, H. Amano, K. Itoh, N. Koide & K. Manabe, Int. Фіз. Канф. Сяр. 129, 851 (1992).
• Akasaki, Isamu; Amano, Hiroshi; Sota, Shigetoshi; Sakai, Hiromitsu (1995-11-01). "Stimulated Emission by Current Injection from an AlGaN/GaN/GaInN Quantum Well Device". Japanese Journal of Applied Physics. 34 (11B). Japan Society of Applied Physics. doi:10.7567/jjap.34.l1517. ISSN 0021-4922.